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SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

SIRA28BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8

compliant

SIRA28BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21227 -
6,000 $0.19858 -
15,000 $0.18488 -
30,000 $0.17530 -
752 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 38A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 582 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

BUK766R0-60E,118
RSS100N03FRATB
R6009JNXC7G
ZXMP6A16KTC
PSMN6R9-100YSFX
FCPF1300N80Z
FCPF1300N80Z
$0 $/Stück
PSMN3R5-30YL,115
FDD6796
CSD17573Q5BT
VMO1200-01F
VMO1200-01F
$0 $/Stück

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