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SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK

compliant

SIRA50DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.82388 -
6,000 $0.79529 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 62.5A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 194 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8445 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

SIB452DK-T1-GE3
DIT090N06
FDS6680S
FQA40N25
FQA40N25
$0 $/Stück
RSU002N06T106
STS7P4LLF6
STS7P4LLF6
$0 $/Stück
IXTT10N100D2
IXTT10N100D2
$0 $/Stück
STP100N8F6
STP100N8F6
$0 $/Stück
FQPF32N20C
FQPF32N20C
$0 $/Stück

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