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SIRA88BDP-T1-GE3

SIRA88BDP-T1-GE3

SIRA88BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8

compliant

SIRA88BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.19388 $0.19388
500 $0.1919412 $95.9706
1000 $0.1900024 $190.0024
1500 $0.1880636 $282.0954
2000 $0.1861248 $372.2496
2500 $0.184186 $460.465
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.83mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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