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SIRA88DP-T1-GE3

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SIRA88DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8

nicht konform

SIRA88DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.19259 -
6,000 $0.18086 -
15,000 $0.16912 -
30,000 $0.16090 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 985 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

5LP01S-TL-E
5LP01S-TL-E
$0 $/Stück
MMSF7N03ZR2
MMSF7N03ZR2
$0 $/Stück
PMK35EP,518
PMK35EP,518
$0 $/Stück
NTHL110N65S3F
NTHL110N65S3F
$0 $/Stück
FQA8N80
IRF9317TRPBF
CSD16556Q5B
CSD16556Q5B
$0 $/Stück
BUZ31 H3045A

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