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SIS126DN-T1-GE3

SIS126DN-T1-GE3

SIS126DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 12A/45.1A PPAK

compliant

SIS126DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.00000 $1
500 $0.99 $495
1000 $0.98 $980
1500 $0.97 $1455
2000 $0.96 $1920
2500 $0.95 $2375
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 45.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1402 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

FQPF19N10L
FDS2070N3
PMN100EPAX
PMN100EPAX
$0 $/Stück
APT20M11JFLL
ZVN2110A
ZVN2110A
$0 $/Stück
BS170
BS170
$0 $/Stück
FQNL2N50BTA
FQNL2N50BTA
$0 $/Stück
FQPF3N50C
IRF740ASPBF
IRF740ASPBF
$0 $/Stück

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