Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIS128LDN-T1-GE3

SIS128LDN-T1-GE3

SIS128LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK

compliant

SIS128LDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.03000 $1.03
500 $1.0197 $509.85
1000 $1.0094 $1009.4
1500 $0.9991 $1498.65
2000 $0.9888 $1977.6
2500 $0.9785 $2446.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1250 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STS11NF30L
STS11NF30L
$0 $/Stück
DMN53D0L-7
IRFH8321TRPBF
NTK3134NT1G
NTK3134NT1G
$0 $/Stück
SQ2361ES-T1_BE3
NTD60N03
NTD60N03
$0 $/Stück
APT44F80L
SI4456DY-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.