Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIS184LDN-T1-GE3

SIS184LDN-T1-GE3

SIS184LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SIS184LDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.68000 $1.68
500 $1.6632 $831.6
1000 $1.6464 $1646.4
1500 $1.6296 $2444.4
2000 $1.6128 $3225.6
2500 $1.596 $3990
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18.7A (Ta), 69.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1950 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIR826DP-T1-RE3
NTTFS6H860NTAG
NTTFS6H860NTAG
$0 $/Stück
DMN3061SW-13
DMT6009LPS-13
DMG7401SFG-13
DMP6018LPS-13
DI080N06PQ-AQ

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.