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SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8

compliant

SIS407DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47560 -
6,000 $0.45327 -
15,000 $0.43732 -
4372 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2760 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

SIRA52ADP-T1-RE3
IRFD113PBF
IRFD113PBF
$0 $/Stück
IRFZ48RPBF
IRFZ48RPBF
$0 $/Stück
RJU003N03FRAT106
IXFP26N30X3
IXFP26N30X3
$0 $/Stück
SIA447DJ-T1-GE3
PMV100EPAR
PMV100EPAR
$0 $/Stück

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