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SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

compliant

SIS412DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25425 -
6,000 $0.23775 -
15,000 $0.22950 -
30,000 $0.22500 -
46576 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 435 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

STN1HNK60
STN1HNK60
$0 $/Stück
FDP038AN06A0
FDP038AN06A0
$0 $/Stück
DMP2305U-7
DMN2022UFDF-13
PSMN5R8-40YS,115
STD46P4LLF6

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