Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

SIS427EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8

compliant

SIS427EDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.30510 -
6,000 $0.28530 -
15,000 $0.27540 -
30,000 $0.27000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.6mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1930 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SQJQ144AER-T1_GE3
DMP32D5LFA-7B
FQP12P20
FQP12P20
$0 $/Stück
NTE491
NTE491
$0 $/Stück
IRF620PBF-BE3
MMFTN170
MMFTN170
$0 $/Stück
IXTA05N100HV-TRL
IXTA05N100HV-TRL
$0 $/Stück
SQJ211ELP-T1_GE3
FCP11N60F
FCP11N60F
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.