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SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

SIS438DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

compliant

SIS438DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.36443 -
6,000 $0.34078 -
15,000 $0.32895 -
30,000 $0.32250 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 880 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

AUIRFR024N
STT5N2VH5
STT5N2VH5
$0 $/Stück
STL33N60DM2
NTMFS5C423NLT1G
NTMFS5C423NLT1G
$0 $/Stück
BUK763R1-40B,118
RCJ081N20TL
NTMYS014N06CLTWG
NTMYS014N06CLTWG
$0 $/Stück

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