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SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8

compliant

SIS478DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 398 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

BS107PSTOB
FQB4N50TM
FQB4N50TM
$0 $/Stück
PSMN8R5-108ESQ
PSMN8R5-108ESQ
$0 $/Stück
IRLR8113PBF
BSC024N025S G
FQI9N15TU
FQI9N15TU
$0 $/Stück
SI2309DS-T1-E3
FQB15P12TM
AUIRLZ24NS

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