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SIS606BDN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK

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SIS606BDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.70520 -
6,000 $0.67209 -
15,000 $0.64844 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1470 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4833NT1G
NTMFS4833NT1G
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FQB85N06TM
FDMA410NZ
FDMA410NZ
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PMPB85ENEAX
PMPB85ENEAX
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IXTQ44N50P
IXTQ44N50P
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NTMFS4C10NT1G
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