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SIS698DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 6.9A PPAK1212-8

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SIS698DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 210 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 19.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFH7440TRPBF
FDP2D9N12C
FDP2D9N12C
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STL4LN80K5
STL4LN80K5
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STP28NM50N
STP28NM50N
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STB15N80K5
STB15N80K5
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SQ4470EY-T1_GE3
DMN2044UCB4-7
DMP2066UFDE-7

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