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SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

compliant

SIS932EDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25595 -
6,000 $0.24035 -
15,000 $0.22475 -
30,000 $0.21383 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000pF @ 15V
Leistung - max. 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
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