Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8

nicht konform

SIS990DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.1A
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 250pF @ 50V
Leistung - max. 25W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

DMN3013LDG-7
NVMFD5C470NWFT1G
NVMFD5C470NWFT1G
$0 $/Stück
CCB021M12FM3
CCB021M12FM3
$0 $/Stück
FMM150-0075X2F
FMM150-0075X2F
$0 $/Stück
SIZ328DT-T1-GE3
DMN32D4SDW-13
STS4DNF60L
STS4DNF60L
$0 $/Stück
DMNH4026SSDQ-13

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.