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SISA04DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

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SISA04DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.59040 -
6,000 $0.56268 -
15,000 $0.54288 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3595 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

STD64N4F6AG
FDB4020P
NTP095N65S3H
NTP095N65S3H
$0 $/Stück
SQW61N65EF-GE3
STP5NK52ZD
STP5NK52ZD
$0 $/Stück
IXTA270N04T4
IXTA270N04T4
$0 $/Stück
STY105NM50N

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