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SISA10DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8

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SISA10DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.49200 -
6,000 $0.46890 -
15,000 $0.45240 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2425 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

2SK3707-1E
2SK3707-1E
$0 $/Stück
BUK752R7-60E,127
BUK752R7-60E,127
$0 $/Stück
FDMS0310AS
FDMS0310AS
$0 $/Stück
DMP21D2UFA-7B
CSD23382F4
CSD23382F4
$0 $/Stück
RM75N60T2
RM75N60T2
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IRFR120TRLPBF-BE3
APT6010JFLL
RV3CA01ZPT2CL

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