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SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

compliant

SISA26DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33814 -
6,000 $0.31482 -
15,000 $0.30316 -
30,000 $0.29680 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2247 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

STW70N65DM6-4
FDPF10N50FT
FDPF10N50FT
$0 $/Stück
2N7002NXAKR
2N7002NXAKR
$0 $/Stück
APT60M60JLL
SI4116DY-T1-E3
DMN67D8LW-13
SI3493DDV-T1-GE3
DMT3006LDK-7
R6030JNZ4C13

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