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SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK

compliant

SISS02DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.71963 -
6,000 $0.68585 -
15,000 $0.66171 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 83 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4450 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

2SK4065-DL-1E
2SK4065-DL-1E
$0 $/Stück
AUIRLR120NTRL
NVMYS021N06CLTWG
NVMYS021N06CLTWG
$0 $/Stück
FQD2P40TM
FQD2P40TM
$0 $/Stück
DMP3068LVT-13
SIHP22N65E-GE3
SIR120DP-T1-RE3

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