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SISS06DN-T1-GE3

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SISS06DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK

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SISS06DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.38mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3660 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

RQ3E130BNTB
SI2367DS-T1-GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/Stück
FQP7P20
BSC119N03MSCG
CSD17581Q5A
CSD17581Q5A
$0 $/Stück
RW1A030APT2CR
SI3459BDV-T1-GE3

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