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SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK

nicht konform

SISS10ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.28171 -
6,000 $0.26343 -
15,000 $0.25429 -
30,000 $0.24930 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3030 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

STB24N60M6
STB24N60M6
$0 $/Stück
DMTH4007SK3-13
EPC2067
EPC2067
$0 $/Stück
IXTA3N100P-TRL
IXTA3N100P-TRL
$0 $/Stück
RU1C001ZPTL
SPB04N50C3
R6030ENZ4C13
BUK6D56-60EX

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