Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S

SOT-23

nicht konform

SISS26DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.79704 -
6,000 $0.75962 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1710 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

R8002KNXC7G
IRFR120TRPBF
IRFR120TRPBF
$0 $/Stück
STW23N80K5
STW23N80K5
$0 $/Stück
HUFA75852G3
NTMFS4C03NT3G
NTMFS4C03NT3G
$0 $/Stück
IXTQ18N60P
IXTQ18N60P
$0 $/Stück
FCP380N60
FCP380N60
$0 $/Stück
DMP3160LQ-7
C2M0025120D
C2M0025120D
$0 $/Stück
NTLJS3A18PZTWG
NTLJS3A18PZTWG
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.