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SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S

compliant

SISS28DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.43624 -
6,000 $0.41576 -
15,000 $0.40113 -
26 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.52mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 4.5 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3640 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

PSMN7R8-120PSQ
BSH203,215
BSH203,215
$0 $/Stück
DMN24H3D5L-7
DMP2035UFDF-13
MCH3486-TL-H
MCH3486-TL-H
$0 $/Stück
2SK4043LS
2SK4043LS
$0 $/Stück
SQ3457EV-T1_BE3
SQ2303ES-T1_BE3
APT47N60SC3G

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