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SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3

SISS30DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK

compliant

SISS30DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.54120 -
6,000 $0.51579 -
15,000 $0.49764 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.25mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1666 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

APTM120U10SAG
FDD5810
STS14N3LLH5
NTR4501NT1G
NTR4501NT1G
$0 $/Stück
VP2110K1-G
HUF75617D3

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