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SISS52DN-T1-GE3

SISS52DN-T1-GE3

SISS52DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 47.1A/162A PPAK

compliant

SISS52DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.11000 $1.11
500 $1.0989 $549.45
1000 $1.0878 $1087.8
1500 $1.0767 $1615.05
2000 $1.0656 $2131.2
2500 $1.0545 $2636.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 47.1A (Ta), 162A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2950 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

CSD18542KCS
CSD18542KCS
$0 $/Stück
RM20N650HD
RM20N650HD
$0 $/Stück
SIHG125N60EF-GE3
SMBF1053LT3
SMBF1053LT3
$0 $/Stück
FQPF5N50
HUF76629D3S
STD5N62K3
STD5N62K3
$0 $/Stück

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