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SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3

SISS54DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SISS54DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.65000 $1.65
500 $1.6335 $816.75
1000 $1.617 $1617
1500 $1.6005 $2400.75
2000 $1.584 $3168
2500 $1.5675 $3918.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 51.1A (Ta), 185.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.06mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 10 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3450 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

SIHB28N60EF-T5-GE3
NTE2390
NTE2390
$0 $/Stück
IRFR420
IRFR420
$0 $/Stück
RM3401Y
RM3401Y
$0 $/Stück
NX7002AKVL
NX7002AKVL
$0 $/Stück
RM2A3P60S4
RM2A3P60S4
$0 $/Stück

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