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SISS588DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SISS588DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.42000 $1.42
500 $1.4058 $702.9
1000 $1.3916 $1391.6
1500 $1.3774 $2066.1
2000 $1.3632 $2726.4
2500 $1.349 $3372.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.9A (Ta), 58.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1380 pF @ 40 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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