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SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK

compliant

SISS65DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.38900 -
6,000 $0.36376 -
15,000 $0.35114 -
30,000 $0.34425 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25.9A (Ta), 94A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4930 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

STP4NK60ZFP
NTLUS3A90PZTAG
NTLUS3A90PZTAG
$0 $/Stück
DMN2056U-7
SCT4018KRC15
ZXM61P02FTA
SUM55P06-19L-E3
STL18N55M5
STL18N55M5
$0 $/Stück
SQ2309ES-T1_BE3

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