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SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

compliant

SISS72DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.81311 -
6,000 $0.78489 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta), 25.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 42mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

FQA10N80C-F109
FQA10N80C-F109
$0 $/Stück
BUK6D23-40EX
2N7002K-T1-GE3
PSMN4R3-80PS,127
BUK7604-40A,118
IXFX20N120P
IXFX20N120P
$0 $/Stück
EPC8004
EPC8004
$0 $/Stück

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