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SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

SOT-23

nicht konform

SISS80DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.75000 $1.75
500 $1.7325 $866.25
1000 $1.715 $1715
1500 $1.6975 $2546.25
2000 $1.68 $3360
2500 $1.6625 $4156.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58.3A (Ta), 210A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.92mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 122 nC @ 10 V
vgs (max) +12V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6450 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C670NLT3G
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$0 $/Stück
IXTR102N65X2
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$0 $/Stück
FQAF8N80
STP46N60M6
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$0 $/Stück
NVTFS5C466NLTAG
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$0 $/Stück
NVHL080N120SC1
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$0 $/Stück
UF3C120150B7S
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$0 $/Stück

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