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SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

SISS98DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 14.1A PPAK

compliant

SISS98DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.50922 -
6,000 $0.48531 -
15,000 $0.46823 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14 nC @ 7.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 608 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

DMT6015LFV-13
DMNH6042SK3Q-13
FQL40N50F
LSIC1MO120G0040
BUK9Y7R6-40E,115
FQB70N08TM
NTMS4705NR2G
NTMS4705NR2G
$0 $/Stück
STF10N80K5
STF10N80K5
$0 $/Stück
SI6426DQ

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