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SQ1922EEH-T1_GE3

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SQ1922EEH-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V SC70-6

nicht konform

SQ1922EEH-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17328 -
6,000 $0.16272 -
15,000 $0.15216 -
30,000 $0.14477 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 840mA (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 350mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50pF @ 10V
Leistung - max. 1.5W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-70-6
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Zugehörige Teilenummer

MCH6630-TL-E
MCH6630-TL-E
$0 $/Stück
APTC60AM18SCG
SQ4937EY-T1_GE3
2SK3706
2SK3706
$0 $/Stück
SQJB68EP-T1_BE3
DMN62D4LDW-13
IRF8313TRPBF
ZXMP6A16DN8TA

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