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SQ2310ES-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 6A TO236

nicht konform

SQ2310ES-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.32036 -
6,000 $0.29957 -
15,000 $0.28917 -
30,000 $0.28350 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 30mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 485 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFR44N50P
IXFR44N50P
$0 $/Stück
FQB17N08TM
UJ4C075060K4S
UJ4C075060K4S
$0 $/Stück
BSP129L6906
IRFS240B
IPP80N06S2-09
FDN306P
FDN306P
$0 $/Stück

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