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SQ4182EY-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC

nicht konform

SQ4182EY-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.70848 -
5,000 $0.67522 -
12,500 $0.65146 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.8mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5400 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IXTA02N250HV
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NVMFS5C406NLWFT1G
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IXFX210N30X3
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IXTY08N50D2
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$0 $/Stück
2N7000BU
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NDD60N360U1-35G
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FQPF16N25
BSS138K
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