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SQ4920EY-T1_GE3

SQ4920EY-T1_GE3

SQ4920EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

nicht konform

SQ4920EY-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.79704 -
5,000 $0.75962 -
12,500 $0.73289 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 14.5mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1465pF @ 15V
Leistung - max. 4.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI5902BDC-T1-E3
MIC4426CMTR
SQJ208EP-T1_GE3
NVMFD5485NLT1G
NVMFD5485NLT1G
$0 $/Stück
DMC2025UFDBQ-7
NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG
$0 $/Stück
SI1902DL-T1-BE3

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