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SQJ204EP-T1_GE3

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SQJ204EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

nicht konform

SQJ204EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.58056 -
6,000 $0.55330 -
15,000 $0.53383 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 12V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc), 60A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 8.3mOhm @ 4A, 10V, 3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Leistung - max. 27W (Tc), 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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Zugehörige Teilenummer

SIB912DK-T1-GE3
DMC1015UPD-13
CSD87503Q3E
CSD87503Q3E
$0 $/Stück
DMP2200UDW-13
DMC2020USD-13
SI4532DY
SI4532DY
$0 $/Stück

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