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SQJ464EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ464EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40680 -
6,000 $0.38040 -
15,000 $0.36720 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2086 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4936NT1G
NTMFS4936NT1G
$0 $/Stück
SQS142ENW-T1_GE3
IRFBF20LPBF
IRFBF20LPBF
$0 $/Stück
IXFH18N60X
IXFH18N60X
$0 $/Stück
NVTYS006N06CLTWG
NVTYS006N06CLTWG
$0 $/Stück
PSMN034-100BS,118

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