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SQJ464EP-T2_GE3

SQJ464EP-T2_GE3

SQJ464EP-T2_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ464EP-T2_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.41382 $0.41382
500 $0.4096818 $204.8409
1000 $0.4055436 $405.5436
1500 $0.4014054 $602.1081
2000 $0.3972672 $794.5344
2500 $0.393129 $982.8225
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2086 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTK102N65X2
IXTK102N65X2
$0 $/Stück
STF2HNK60Z
STF2HNK60Z
$0 $/Stück
FDS86242
FDS86242
$0 $/Stück
IXFN210N20P
IXFN210N20P
$0 $/Stück
FDS8813NZ
FDS8813NZ
$0 $/Stück
IXFH18N100Q3
IXFH18N100Q3
$0 $/Stück

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