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SQJ476EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ476EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33561 -
6,000 $0.31383 -
15,000 $0.30294 -
30,000 $0.29700 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 38mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IXTA6N50D2-TRL
IXTA6N50D2-TRL
$0 $/Stück
STW75NF30AG
NTTFS5C466NLTAG
NTTFS5C466NLTAG
$0 $/Stück
DMP2109UVT-7
IPB052N04NG
DMTH4004SK3-13
BUK768R3-60E,118
IXFX320N17T2
IXFX320N17T2
$0 $/Stück

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