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SQJ860EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

nicht konform

SQJ860EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37629 -
6,000 $0.35187 -
15,000 $0.33966 -
30,000 $0.33300 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STF12N120K5
SI7460DP-T1-E3
DI9942T
DI9942T
$0 $/Stück
NTR4101PT1H
NTR4101PT1H
$0 $/Stück
IRF1010ZPBF
2N7002BKVL
2N7002BKVL
$0 $/Stück
RSY160P05TL
BUK7Y43-60EX

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