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SQJ886EP-T1_GE3

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SQJ886EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SQJ886EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.61221 -
6,000 $0.58347 -
15,000 $0.56294 -
1 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 65 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2922 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 55W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

FQI3N25TU
SIHFR1N60A-GE3
FDP15N50
STF43N60DM2
NTTFS4928NTAG
NTTFS4928NTAG
$0 $/Stück
RD3G01BATTL1
IXTP20N65XM
IXTP20N65XM
$0 $/Stück

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