Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SQJA62EP-T1_GE3

SQJA62EP-T1_GE3

SQJA62EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

nicht konform

SQJA62EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 85 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXTA110N055T2
IXTA110N055T2
$0 $/Stück
IRL7833PBF
IRF151
IRF151
$0 $/Stück
IRF9332TRPBF
NVTFS5C670NLTAG
NVTFS5C670NLTAG
$0 $/Stück
RRH090P03TB1
ZXMN2B14FHTA

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.