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SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

SQJA90EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SQJA90EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.57072 -
6,000 $0.54392 -
15,000 $0.52478 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.6mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 68W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STW70N65DM6
BUK663R2-40C,118
SQD40020EL_GE3
DMN62D0SFD-7
IRFP360PBF
IRFP360PBF
$0 $/Stück
STB140NF75T4
BUK9Y8R5-80EX
APT10086BVRG
PH1225AL,115
PH1225AL,115
$0 $/Stück

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