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SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

nicht konform

SQJB42EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500pF @ 25V
Leistung - max. 48W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

QH8KC6TCR
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$0 $/Stück
CSD87352Q5D
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SMA5117
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SP8J5FRATB
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$0 $/Stück
RM8810
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RM10N40S8
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BUK7K134-100EX
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