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SQJB60EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

nicht konform

SQJB60EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.51168 -
6,000 $0.48766 -
15,000 $0.47050 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1600pF @ 25V
Leistung - max. 48W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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