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SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

SQJB68EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

compliant

SQJB68EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.39663 -
6,000 $0.37089 -
15,000 $0.35802 -
30,000 $0.35100 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 92mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280pF @ 25V
Leistung - max. 27W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8 Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual
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Zugehörige Teilenummer

DMC2004LPK-7
ZXMN3AMCTA
SQJQ980EL-T1_GE3
SQJB44EP-T1_GE3
SI6968BEDQ-T1-E3
SMA5132
SMA5132
$0 $/Stück
SI1922EDH-T1-GE3
DMN2024UVT-7
FDG6317NZ
FDG6317NZ
$0 $/Stück

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