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SQJQ112E-T1_GE3

SQJQ112E-T1_GE3

SQJQ112E-T1_GE3

Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

compliant

SQJQ112E-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.84000 $3.84
500 $3.8016 $1900.8
1000 $3.7632 $3763.2
1500 $3.7248 $5587.2
2000 $3.6864 $7372.8
2500 $3.648 $9120
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 296A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.53mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 272 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 15945 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8
Paket / Koffer PowerPAK® 8 x 8
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