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SQM100N04-2M7_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

SOT-23

nicht konform

SQM100N04-2M7_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.35564 $1084.512
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 145 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7910 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 157W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/Stück
SIDR220EP-T1-RE3
RM45N600T7
RM45N600T7
$0 $/Stück
NVMFS5C426NAFT3G
NVMFS5C426NAFT3G
$0 $/Stück

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