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SQM110P06-8M9L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

nicht konform

SQM110P06-8M9L_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.66848 $1334.784
1,600 $1.53120 -
2,400 $1.42560 -
5,600 $1.37280 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 110A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 230W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRLR8256TRPBF
DMP6185SEQ-13
G3R160MT17J
R6530ENZ4C13
SIHP28N65EF-GE3
SUM60020E-GE3
IRFI9630GPBF
IRFI9630GPBF
$0 $/Stück
IXTA102N15T-TRL
IXTA102N15T-TRL
$0 $/Stück

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